[发明专利]超低磁阻尼的软磁CoFeMnSi合金薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910965485.0 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110747440A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 廖政炜;徐锋;徐展;尤柱;杜金威 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;H01F10/12;H01F10/14 |
| 代理公司： | 32203 南京理工大学专利中心 | 代理人： | 邹伟红 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种超低磁阻尼的软磁CoFeMnSi合金薄膜及其制备方法，属于磁性薄膜领域。该合金薄膜由原子比为1:1:1:1的四种元素Co、Fe、Mn、Si组成，为B2结构。本发明通过物理气相沉积法，通过控制退火温度在软磁CFMS合金薄膜上实现了0.002的超低阻尼，与传统磁性金属薄膜相比磁阻尼降低了一个数量级，本发明能够获得具有低磁阻尼且保持优异磁性能的软磁薄膜材料，有助于自旋电子学器件的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 合金薄膜 低磁阻 软磁 物理气相沉积法 自旋电子学器件 退火 传统磁性 磁性薄膜 金属薄膜 软磁薄膜 磁性能 磁阻尼 低阻尼 原子比 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种超低磁阻尼的软磁CoFeMnSi合金薄膜，其特征在于，该合金薄膜由原子比为1:1:1:1的四种元素Co、Fe、Mn、Si组成，为B2结构。/n
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