[发明专利]刻蚀反应设备及刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910959725.6 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110739250A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 邱宇渊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种刻蚀反应设备。刻蚀反应设备用于刻蚀目标物。刻蚀反应设备包括反应腔体、基座及控制器；反应腔体用于容纳刻蚀介质，刻蚀介质用于刻蚀目标物，基座位于反应腔体内，基座用于承载目标物；控制器用于控制基座相对反应腔体旋转。本申请提供的刻蚀反应设备能够解决因刻蚀介质分布不均匀，而导致目标物刻蚀不均一的问题。本申请还提供一种刻蚀方法。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 反应设备 目标物 反应腔体 刻蚀介质 控制器 申请 控制基座 不均匀 反应腔 均一 承载 容纳 体内 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀反应设备，用于刻蚀目标物，其特征在于，包括反应腔体、基座及控制器；所述反应腔体用于容纳刻蚀介质，所述刻蚀介质用于刻蚀所述目标物，所述基座位于所述反应腔体内，所述基座用于承载所述目标物；所述控制器用于控制所述基座相对所述反应腔体旋转。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910959725.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
