[发明专利]非易失性存储器及其数据写入方法在审
| 申请号： | 201910949635.9 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112634962A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 何文乔 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器及其数据写入方法。非易失性存储器包括存储器阵列以及存储器控制器。存储器阵列具有多个存储单元。存储器控制器用以对多个选中存储单元进行数据写入操作。在数据写入操作中，存储器控制器记录提供的数据写入脉冲的总次数，通过比较数据写入脉冲的总次数与预设的临界值以获得指示值，并依据指示值调整数据写入脉冲的电压绝对值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
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