[发明专利]一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201910948299.6 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110660913A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李明亮;李硕;王国治;魏峰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L27/28 |
| 代理公司： | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法，包括以下步骤：将熔融拉膜法或碾膜法获得的高度取向的高分子薄膜覆盖于硅衬底上作为介电层；将功能有机半导体材料涂敷在取向高分子薄膜表面；通过溶液退火法获得高度取向的有机半导体晶体阵列。本发明的方法，能够提高有机半导体器件响应。 | ||
| 搜索关键词： | 高度取向 取向 半导体技术领域 高分子薄膜表面 功能有机半导体 有机半导体晶体 有机半导体器件 高分子薄膜 器件阵列 有机晶体 硅衬底 介电层 拉膜法 退火法 膜法 熔融 涂敷 制备 响应 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种外沿法制备取向有机半导体晶体阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将熔融拉膜法或碾膜法获得的高度取向的高分子薄膜覆盖于硅衬底上作为介电层；/n将功能有机半导体材料旋涂在取向高分子薄膜表面；/n通过溶液退火法获得高度取向的有机半导体晶体阵列。/n
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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