[发明专利]选择性钝化和选择性沉积在审
| 申请号： | 201910938338.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110993482A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | J·W·梅斯;M·吉文斯;S·豪卡;V·帕鲁丘里;I·拉伊梅克斯;S·邓;A·伊利贝里;E·托伊斯;D·朗格里 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 姚远 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的发明名称为选择性钝化和选择性沉积。提供了用于选择性沉积的方法。材料相对于不同材料组成的第二表面被选择性沉积在衬底的第一表面上。将抑制剂(如聚酰亚胺层)相对于第二表面由气相反应物选择性地形成在第一表面上。将目标层相对于第一表面由气相反应物选择性地沉积在第二表面上。第一表面可以是金属的，而第二表面是介电的。因此，可利用本文所述技术将材料(如介电过渡金属氧化物和氮化物)相对于电介质表面选择性地沉积在金属表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 钝化 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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