[发明专利]P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件制作方法在审
| 申请号： | 201910937992.3 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110660656A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/06;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件制作方法，涉及半导体集成电路制造工艺，在P型阱结构的离子注入过程中，通过在阱的抑制穿通离子注入工艺与阈值电压调整离子注入工艺之间加入碳离子注入工艺，以在抑制穿通离子注入层与阈值电压调整离子注入层之间形成一层碳离子注入层的非晶化层，该非晶化层能抑制抑制穿通离子注入层的离子往阈值电压调整离子注入层扩散，保持PN结较浅掺杂一侧的浓度不变，阻止PN结寄生电容的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 离子注入层 阈值电压调整 穿通 离子注入工艺 非晶化层 碳离子 离子 半导体集成电路制造 离子注入过程 寄生电容 浅掺杂 注入层 扩散 制作 | ||
【主权项】：
1.一种P型阱的离子注入方法，其特征在于，包括：/nS1：对半导体衬底上的P型阱区域进行阱隔离离子注入工艺，以在P型阱区域形成阱隔离离子注入层；/nS2：进行阱的抑制穿通离子注入工艺，以形成抑制穿通离子注入层；/nS3：进行碳离子注入工艺，以形成碳离子注入层；以及/nS4：进行阈值电压调整离子注入工艺，以形成阈值电压调整离子注入层。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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