[发明专利]一种双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910937843.7 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110797445B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 段理;魏星;郭婷婷;王昭 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 孙雅静 |
| 地址： | 710064 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本文公开了一种双层石墨烯膜LED电极材料及其制备方法，包括在LED芯片表面覆盖双层石墨烯膜制得，所述的双层石墨烯膜为钼氮掺杂石墨烯膜/铱银氮掺杂石墨烯膜，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为(90～110):(0.6～1):(1～1.5)，所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为(90～110):(0.9～1.2):(0.6～1):(0.6～1)。本发明制备的双层石墨烯膜LED电极材料具有优良的导热特性、透光特性和导电特性，具有很好的透光特性，适合用于作为发光面的大面积电极，进一步增强了电流传导能力。制备方法过程简单安全、所用设备和原料价格低廉，适合产业化大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 石墨 led 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双层石墨烯膜LED电极材料的制备方法，其特征在于，包括在LED芯片表面覆盖双层石墨烯膜制得，所述的双层石墨烯膜为钼氮掺杂石墨烯膜/铱银氮掺杂石墨烯膜，所述的钼氮掺杂石墨烯膜中碳:钼:氮的摩尔比为(90～110):(0.6～1):(1～1.5)，所述的铱银氮掺杂石墨烯膜中碳:铱:银:氮的摩尔比为(90～110):(0.9～1.2):(0.6～1):(0.6～1)。/n
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