[发明专利]一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910935597.1 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110729631B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 贾传宇;凌东雄;王红成;吕伟;王春华;康晓娇;胡西多 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/20 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 姚招泉 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法，所述激光二极管包括从下到上依次层叠设置的GaN单晶衬底、n型GaN层、n型限制层、下波导层、复合量子阱有源区、电子阻挡层、上波导层、p型限制层和p型GaN层。本发明设计和优化氮化镓基激光器高量子效率应力调控有源区结构，新型光波导层结构以及新型限制层结构，在低位错密度GaN单晶衬底上制备激光二极管，突破GaN基激光器的外延制备技术难点，得到高可靠性高量子效率GaN基激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 镓单晶 衬底 激光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管，其特征在于，包括从下到上依次层叠设置的GaN单晶衬底(101)、n型GaN层(102)、n型限制层(103)、下波导层(104)、复合量子阱有源区(105)、电子阻挡层(106)、上波导层(107)、p型限制层(108)和p型GaN层(109)；/n所述复合量子阱有源区(105)包括从下到上依次层叠设置的浅阱和发光区，所述浅阱为2～6个周期的In
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