[发明专利]氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法以及用于它们的氧化镓晶体生长用的坩埚在审
| 申请号： | 201910935595.2 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111041556A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 干川圭吾;太子敏则;小林拓实;大叶悦子;原淳雅;加渡干尚 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人信州大学;不二越机械工业株式会社;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/00;C22C5/04 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于洁;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够生长不着色且杂质少的高纯度的氧化镓单晶的氧化镓晶体的制造装置和氧化镓晶体的制造方法以及用于它们的氧化镓晶体生长用的坩埚。一种在大气气氛下使用Ir含量为20～30wt％的Pt‑Ir系合金坩埚，应用VB法、HB法或VGF法来生长氧化镓晶体的制造装置和制造方法，其特征在于，该制造装置(10)由垂直布里奇曼炉构成，该垂直布里奇曼炉具备：基体(12)；炉主体(14)；盖体(18)；发热体(20)；坩埚支承轴(30)；和坩埚(34)，上述坩埚(34)是Ir含量为20～30wt％的Pt‑Ir系合金制的坩埚(34)。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 晶体 制造 装置 方法 以及 用于 它们 晶体生长 坩埚 | ||
【主权项】：
暂无信息
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