[发明专利]衬底、半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910934227.6 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582469A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 朱辉;黄宝伟;吴海平 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了衬底、半导体器件及其制备方法，该衬底包括：第一截止层，在厚度方向上，所述第一截止层中的掺杂浓度均匀分布；第二截止层，所述第二截止层设置在所述第一截止层的一个表面上，在远离所述第一截止层的方向上，所述第二截止层中的掺杂浓度逐渐减小；漂移区，所述漂移区设置在所述第二截止层远离所述第一截止层的表面上，所述漂移区中的掺杂浓度小于等于所述第二截止层中的掺杂浓度。含有该衬底的器件开关过程具有较好的软开关特性，不会出现过高的尖峰电流电压，且具有较好的一致性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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