[发明专利]一种铈掺杂二氧化钛忆阻器薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910933647.2 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110676377A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李颖;张坤;武焱旻;赵高扬 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C18/12 |
| 代理公司： | 61214 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 涂秀清 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铈掺杂二氧化钛忆阻器薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备铈金属氧化物溶胶；步骤2，制备二氧化钛溶胶；步骤3，将步骤1制备的铈金属氧化物溶胶和二氧化钛溶胶混合，待搅拌均匀后进行陈化得到铈掺杂二氧化钛溶胶，其中钛离子与铈离子的摩尔比为(200‑2000)：1；步骤4，采用浸渍‑提拉法，以铈掺杂二氧化钛溶胶为原料在室温下使用提拉机在Pt铂金电极基板上进行铈掺杂二氧化钛凝胶薄膜的提拉，铈掺杂二氧化钛凝胶薄膜在室温下干燥后，再进行热处理得到铈掺杂氧化钛薄膜。该铈掺杂二氧化钛忆阻器薄膜的制备方法具有制备成本低、工艺简单、容易控制等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 铈掺杂 制备 二氧化钛溶胶 薄膜 二氧化钛凝胶 氧化物溶胶 二氧化钛 忆阻器 铈金属 浸渍 氧化钛薄膜 热处理 铂金电极 步骤实施 摩尔比 提拉法 提拉机 钛离子 铈离子 陈化 基板 提拉 | ||
【主权项】：
1.一种铈掺杂二氧化钛忆阻器薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：/n步骤1，制备铈金属氧化物溶胶；/n步骤2，制备氧化钛溶胶；/n步骤3，将步骤1制备的铈金属氧化物溶胶和氧化钛溶胶混合，待搅拌均匀后进行陈化得到铈掺杂二氧化钛溶胶，其中钛离子与铈离子的摩尔比为(200-2000)：1；/n步骤4，采用浸渍-提拉法，以铈掺杂二氧化钛溶胶为原料在室温下使用提拉机在Pt铂金电极基板上进行铈掺杂二氧化钛凝胶薄膜的提拉，铈掺杂二氧化钛凝胶薄膜在室温下干燥后，再进行热处理得到铈掺杂氧化钛薄膜。/n
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