[发明专利]具有N-型半导体限制孔结构的VCSEL器件在审
| 申请号： | 201910930389.2 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110635352A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张紫辉;高元斌;张勇辉 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 12210 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为一种具有N‑型半导体限制孔结构的VCSEL器件及其制备方法。该器件包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N‑型半导体传输层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、第一层P‑型半导体传输层、N‑型半导体限制孔、第二层P‑型半导体传输层，P‑型欧姆接触层、绝缘电流限制孔、电流扩展层、介质DBR、P‑型欧姆电极；圆环状的N‑型半导体限制孔位于第一层P‑型半导体传输层上部内的外缘。本发明具有更明显的空穴横向限制作用，从而具有更低的阈值电流，更高的器件输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 传输层 限制孔 第一层 空穴 氮化物外延 电流扩展层 电子阻挡层 多量子阱层 欧姆接触层 横向限制 绝缘电流 欧姆电极 输出功率 阈值电流 缓冲层 圆环状 衬底 制备 | ||
【主权项】：
1.一种具有N-型半导体限制孔结构的VCSEL器件，其特征在于该器件包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N-型半导体传输层、多量子阱层、P-型电子阻挡层、第一层P-型半导体传输层、N-型半导体限制孔、第二层P-型半导体传输层， P-型欧姆接触层、绝缘电流限制孔、电流扩展层、介质DBR、P-型欧姆电极；/n其中，该外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N-型半导体传输层；/n所述的N-型半导体传输层为圆台状，中间的凸起部分的面积为N-型半导体传输层投影面积的10～90 %，凸起部分的高度为0.1～3 μm；圆台下层暴露的N-型半导体传输层上分布有N-型欧姆电极；/n所述的N-型半导体传输层的中间的凸起部分上，沿着外延方向依次覆盖有多量子阱层、P-型电子阻挡层、第一层P-型半导体传输层、第二层P-型半导体传输层，P-型欧姆接触层；圆环状的N-型半导体限制孔位于第一层P-型半导体传输层上部外缘；/n所述的N-型半导体限制孔的投影面积为第一层P-型半导体传输层投影面积的10～90%；/n圆环状的绝缘电流限制孔位于 P-型欧姆接触层之上，其投影面积为 P-型欧姆接触层投影面积的10～90 %；/n电流扩展层覆盖在绝缘电流限制孔和P-型欧姆接触层上；/n介质DBR位于电流扩展层之上，其投影面积为电流扩展层投影面积的10～90 %；/nP-型欧姆电极覆盖于电流扩展层上。/n
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