[发明专利]一种具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法有效
| 申请号： | 201910929813.1 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110560815B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨栋华;杜飞;冉藤;秦浩桐;翟翔;樊涛;张春红;甘贵生 | 申请（专利权）人： | 重庆理工大学 |
| 主分类号： | B23K1/08 | 分类号： | B23K1/08;B23K1/20;B23K3/08;C25D3/56;C25D5/20;C23C30/00;C21D9/50 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400054 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其包括如下步骤：步骤一，电镀，提供两块金属基底，所述金属基底的焊接面上沉积有厚度为20±2μm的Co‑P纳米晶薄膜，该Co‑P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%。步骤二，钎焊，将两块金属基底的焊接面对准，以纯Sn作为钎料，利用浸焊或回流焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构。步骤三，时效处理，对制得的Co‑P/Sn/Co‑P微互连结构进行时效处理，时效温度为150~230℃，时效时间为20~200h，得到具有[100]择尤取向的全IMC微焊点其工艺流程简单，成本低廉，制得的微焊点是以[100]择尤取向的CoSn3晶粒为主体的全IMC结构，具有比Cu6Sn5全IMC结构韧性更优的力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 100 取向 imc 微焊点 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有[100]择尤取向的全IMC微焊点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一，电镀，提供两块金属基底，所述金属基底的焊接面上沉积有厚度为20±2μm的Co-P纳米晶薄膜，该Co-P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%；/n步骤二，钎焊，将两块金属基底的焊接面对准，以纯Sn作为钎料，利用浸焊或回流焊在两块金属基底的焊接面之间制得Co-P/Sn/Co-P微互连结构；/n步骤三，时效处理，对制得的Co-P/Sn/Co-P微互连结构进行时效处理，时效温度为150~230℃，时效时间为20~200h，得到具有[100]择尤取向的全IMC微焊点。/n
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