[发明专利]一种衍射消光成像测量取向和应变分布的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201910924203.2 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110618152B 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 黎刚;易栖如;赵越;张杰;王艳萍;姜晓明 申请(专利权)人: 中国科学院高能物理研究所;中国科学院北京综合研究中心
主分类号: G01N23/207 分类号: G01N23/207;G01N23/20016
代理公司: 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 代理人: 李明里
地址: 100049 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种衍射消光成像测量取向和应变分布的方法,属于材料取向和应变分布测量技术领域,解决了现有技术中测量效率低、难以大面积测量的问题。该方法包括以下步骤:用单色准平行的X射线照射待测准单晶平板样品,在采样旋转角度范围内,采集待测准单晶平板样品产生的消光像信息及对应的旋转角度,消光像信息包括消光像中像素点的光强;根据像素点的光强及对应的旋转角度确定像素点的摇摆曲线;根据像素点摇摆曲线获得像素点对应位置的晶粒取向和应变,从而获得待测准单晶平板样品发生衍射的晶面的晶粒取向分布和第二类应变分布。该方法可快速、高效、大面积测量材料的晶粒取向分布和第二类应变分布,且操作简单、误差小、测量结果精度高。
搜索关键词: 一种 衍射 成像 测量 取向 应变 分布 方法 装置
【主权项】:
1.一种衍射消光成像测量取向和应变分布的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n用单色准平行的X射线照射待测准单晶平板样品,在采样旋转角度范围内,采集所述待测准单晶平板样品产生的消光像信息及对应的旋转角度,所述消光像信息包括消光像中像素点的光强;/n根据所述像素点的光强及对应的旋转角度确定像素点的摇摆曲线;/n根据所述像素点摇摆曲线获得像素点对应位置的晶粒取向和应变,从而获得待测准单晶平板样品发生衍射的晶面的晶粒取向分布和第二类应变分布。/n
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