[发明专利]一种基于氮化硼的紫外/红外双色探测器有效
| 申请号： | 201910922937.7 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110649108B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;贾玉萍;孙晓娟;蒋科;石芝铭;刘新科;陈洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/101 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种基于氮化硼的紫外/红外双色探测器，属于半导体光电探测器技术领域。解决了现有技术中的紫外/红外双色探测器无法实现高效的紫外和红外的探测、受低温应用限制、原材料有毒、制备繁琐、制备中不可避免引入大量污染物等问题。本发明的双色探测器，由衬底、紫外探测器外延层和红外探测器外延层组成，紫外探测器外延层为连续层结构，固定在衬底的上表面上，材料为三维氮化硼，红外探测器外延层为连续层结构或图案化结构，固定在紫外探测器外延层的上表面上，材料为二维氮化硼。该双色探测器利用三维氮化硼的本征紫外吸收性能和二维氮化硼的声子极化红外吸收性能，实现紫外和红外的同时探测，该探测器使用不受低温限制，且安全环保、制备简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 紫外 红外 探测器 | ||
【主权项】：
1.基于氮化硼的紫外/红外双色探测器，其特征在于，由衬底、紫外探测器外延层和红外探测器外延层组成，所述紫外探测器外延层为连续层结构，固定在衬底的上表面上，材料为三维氮化硼，红外探测器外延层为连续层结构或图案化结构，固定在紫外探测器外延层的上表面上，材料为二维氮化硼。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
