[发明专利]用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法

摘要

本发明提供用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及镀膜方法。所述CVD设备包括：第一CVD反应腔，其配置成接收承载有硅片的托盘，并通过第一和第二CVD工艺依次在硅片第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；硅片翻面装置，其配置成从第一CVD反应腔接收已完成第一和第二CVD工艺的硅片，并将硅片进行翻面而使硅片的第一面和与之相对的第二面完成对调；以及第二CVD反应腔，其配置成接收承载有经翻面后的硅片的托盘，并通过第三和第四CVD工艺依次在硅片第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。本发明先后在第一、第二CVD反应腔分别完成第一面的I/N非晶硅镀膜和第二面的I/P非晶硅镀膜，还可辅以能消除硼污染的清洗工艺，能有效简化设备结构、降低自动化难度、缩小占地面积、提高设备产能。

主权项

1.一种用于制造异质结太阳能电池的CVD设备，所述CVD设备包括：/n第一CVD反应腔，其配置成接收承载有硅片的托盘，并通过第一CVD工艺和第二CVD工艺依次在所述硅片的第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；/n硅片翻面装置，其配置成从所述第一CVD反应腔接收已完成所述第一CVD工艺和第二CVD工艺的所述硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的所述第一面和与之相对的第二面完成对调；以及/n第二CVD反应腔，其配置成接收承载有经所述硅片翻面装置翻面后的所述硅片的所述托盘，并通过第三CVD工艺和第四CVD工艺依次在所述硅片的所述第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。/n