[发明专利]镶嵌工艺中金属阻挡层的选择性沉积有效
| 申请号： | 201910921686.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110970355B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 郭家邦;李亚莲;沈杰一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及镶嵌工艺中金属阻挡层的选择性沉积。公开了镶嵌工艺中金属阻挡层的选择性沉积，提供了一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：在导电特征之上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层之上形成电介质层；在所述电介质层中形成开口以显露所述刻蚀停止层；以及使用包括抑制剂的刻蚀剂通过所述开口刻蚀所述刻蚀停止层。在所述导电特征上形成包括所述抑制剂的抑制剂膜。所述方法还包括：沉积延伸到所述开口中的导电阻挡层；在沉积所述导电阻挡层之后，执行去除所述抑制剂膜的处理；以及沉积导电材料以填充所述开口的剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 工艺 金属 阻挡 选择性 沉积 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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