[发明专利]一种新型低噪声压控振荡器有效
| 申请号： | 201910913701.7 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110719069B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 傅海鹏;郑玉学;马凯学 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03B5/06 | 分类号： | H03B5/06;H03B5/12 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开新型低噪声压控振荡器，包括双LC tank构成的电感电容谐振腔，MOS管MP1、MOS管MP2,MOS管MN1、MOS管MN2；MOS管MP1、MOS管MP2源极连接后接VDD，MOS管MP1栅极接MOS管MP2漏极，MOS管MP2栅极接MOS管MP1漏极；MOS管MN1、MOS管MN2源极连接后接地，MOS管MN1、MOS管MN2漏极分别与MOS管MP1、MOS管MP2漏极相接，MOS管MN1栅极接MOS管MN2漏极，MOS管MN2栅极接MOS管MN1栅极。本发明在保证低功耗的前提下，实现高的摆幅要求；有效解决了基波和二次谐波相位非对准条件下相位噪声差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 噪声 压控振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种新型低噪声压控振荡器，其特征在于，包括双LCtank构成的电感电容谐振腔，MOS管MP1、MOS管MP2,MOS管MN1、MOS管MN2；MOS管MP1、MOS管MP2源极连接后接VDD，MOS管MP1栅极接MOS管MP2漏极，MOS管MP2栅极接MOS管MP1漏极；MOS管MN1、MOS管MN2源极连接后接地，MOS管MN1、MOS管MN2漏极分别与MOS管MP1、MOS管MP2漏极相接，MOS管MN1栅极接MOS管MN2漏极，MOS管MN2栅极接MOS管MN1栅极，双LCtank中的一个LCtank的两端分别接在MOS管MN1、MOS管MN2漏极对应与MOS管MP1、MOS管MP2漏极的连接线上；利用双LCtank弱耦合来消除基波和二次谐波间的相位差，以提高压控振荡器的相位噪声性能。/n
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