[发明专利]一种晶圆背面覆铜的焊接工艺有效
| 申请号： | 201910909799.9 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634757B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张茹;臧天程;姜维宾;安勇;金浩 | 申请（专利权）人： | 烟台台芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11636 | 代理人： | 孙福岭 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆背面覆铜的焊接工艺，属于晶圆制造技术领域,该工艺步骤如下：S1：打磨；S2：清洗；S3：退火；S4：第二次打磨和清洗：将退火后的铜片重复步骤S1和S2；S5：印刷：对铜片上表面印刷锡膏；S6：焊接：将晶圆放置于印刷完锡膏的铜片上，晶圆背面与铜片接触，晶圆上方放置上基板，铜片下方放置下基板，形成焊接机构，将焊接结构放置于真空焊接炉进行焊接，焊接温度为290℃,焊接完成后进行冷却；S7:清洗：将焊接上铜片的晶圆使用溴丙烷浸泡，然后进行超声波清洗，然后再用酒精浸泡进行超声波清洗；S8：检测空洞；用以解决现有技术中芯片温升高、芯片封装时易碎裂的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 焊接 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆背面覆铜的焊接工艺，其特征在于：该工艺步骤如下：S1：打磨：对铜片上下表面使用砂纸进行打磨；S2：清洗：将铜片放置于酒精浸泡后，进行超声波清洗；S3：退火：在铜片上方和下方分别放置上基板和下基板，形成退火结构，在310℃条件下进行退火；S4：第二次打磨和清洗：将退火后的铜片重复步骤S1和S2；S5：印刷：对铜片上表面印刷锡膏；S6：焊接：将晶圆放置于印刷完锡膏的铜片上，晶圆背面与铜片接触，晶圆上方放置上基板，铜片下方放置下基板，形成焊接机构，将焊接结构放置于真空焊接炉进行焊接，焊接温度为290℃,焊接完成后进行冷却；S7:清洗：将焊接上铜片的晶圆使用溴丙烷浸泡，然后进行超声波清洗，然后再用酒精浸泡进行超声波清洗；S8：检测空洞，空洞率在3％内即为合格。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烟台台芯电子科技有限公司，未经烟台台芯电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910909799.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种扇出封装方法及封装结构
- 下一篇：基底加工设备、存储介质以及基底加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
