[发明专利]太赫兹半导体激光器、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201910908200.X | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110635353B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 赵方圆;刘俊岐;刘峰奇;张锦川;翟慎强;卓宁;王利军;刘舒曼;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种太赫兹半导体激光器、其制备方法及应用，该太赫兹半导体激光器包括一第一金属层，作为半导体激光器底部的压焊金属层和散热通道；一支撑衬底；一第一高掺层，其设置在支撑衬底上，作为激光器的下波导光限制层；一有源区，其生长于第一高掺层上；一第二高掺层，其位于有源区上；多个电隔离沟；一欧姆接触层；一电隔离层，以及一第二金属层。本发明采用周期性多脊阵列与矩形腔耦合结构，借助同相干涉引起的自成像效应，来改善器件脊宽方向的光束发散角；使用周期性多脊阵列，增大了激光器的增益体积，输出功率得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 半导体激光器 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹半导体激光器，包括：/n一第一金属层，作为半导体激光器底部的压焊金属层和散热通道；/n一支撑衬底，其设置在第一金属层上，起支撑作用；/n一第一高掺层，其设置在支撑衬底上，作为激光器的下波导光限制层；/n一有源区，其生长于第一高掺层上；/n一第二高掺层，其位于有源区上；所述有源区、第二高掺层被制作成第一多脊区、矩形腔区和第二多脊区，三者构成谐振腔，用于激光模式的选择和放大并改善输出光束质量；/n多个电隔离沟，其设置在第一多脊区、第二多脊区各自的每个脊条与矩形腔区的连接处，用于隔离第一多脊区、第二多脊区各自与矩形腔区之间的电注入；/n一欧姆接触层，用于实现第二金属层与第一高掺层、第二高掺层之间的欧姆接触；/n一电隔离层，其设置在第一多脊区、第二多脊区各自表面的非电注入区和正负电极间隔区的第一高掺层上，用于隔离正电极区与负电极区的电注入；以及/n一第二金属层，其包括设置在谐振腔上的负极金属层和设置在欧姆接触层上的正极金属层，负极金属层作为负电极，正极金属层作为正电极。/n
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