[发明专利]碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法有效
| 申请号： | 201910905550.0 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110527960B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 白平平;童培云;沈文兴;朱刘;肖翀 | 申请（专利权）人： | 先导薄膜材料（广东）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C28/00;B22F3/14;B22F1/14;B22F1/142 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：以单质锗、单质锑和单质碲为原料，进行真空感应熔炼，球磨、过筛后得到锗锑碲粉体；将锗锑碲粉体和炭黑分散到含丙烯酰胺的反应体系中，经聚合反应得到均匀分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体；将分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体在无氧环境中进行煅烧，得到掺碳的锗锑碲粉体；将掺碳的锗锑碲粉体进行真空热压烧结，得到碳掺杂锗锑碲相变靶材。本发明以聚丙烯酰胺和炭黑为碳源，在聚丙烯酰胺胶体形成过程中，使锗锑碲粉体和炭黑悬浮于溶液中，促进炭黑与锗锑碲粉体充分混合，解决了现有掺碳锗锑碲靶材中碳颗粒结块导致掺杂不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 锗锑碲 相变 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳掺杂锗锑碲相变靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)以单质锗、单质锑和单质碲为原料，进行真空感应熔炼，球磨、过筛后得到锗锑碲粉体；/n(2)将锗锑碲粉体和炭黑分散到含丙烯酰胺的反应体系中，经聚合反应得到均匀分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体；/n(3)将分布有锗锑碲粉体和炭黑的聚丙烯酰胺胶体在无氧环境中进行煅烧，得到掺碳的锗锑碲粉体；/n(4)将掺碳的锗锑碲粉体进行真空热压烧结，得到碳掺杂锗锑碲相变靶材。/n
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