[发明专利]一种SiC纳米线及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910903443.4 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110589832A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 唐永炳;徐阳;王陶;蔡菁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977 |
| 代理公司： | 44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SiC纳米线的制备方法，所述SiC纳米线采用热丝化学气相沉积法制备获得，所述热丝化学气相沉积法的具体方法包括如下步骤：提供一基底，对所述基底进行表面清洗、干燥；将处理得到的基底放置于热丝化学气相沉积设备沉积室内；通入含有碳源气体、硅源气体的混合气体，保持所述基底与所述设备内部的灯丝的距离为16～18mm，在所述灯丝的功率为6800～7000W、所述灯丝的温度为600～800℃的条件下；制备所述SiC纳米线。该制备方法工艺简单，生产成本低，速率高；制备得到的SiC纳米线长度粗细可较准确控制，且均一稳定，纯度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 灯丝 制备 热丝化学气相沉积 热丝化学气相沉积法 制备方法工艺 生产成本低 表面清洗 长度粗细 硅源气体 混合气体 设备内部 碳源气体 准确控制 均一 沉积 室内 | ||
【主权项】：
1.一种SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述SiC纳米线采用热丝化学气相沉积法制备获得，所述热丝化学气相沉积法的具体方法包括如下步骤：/n提供一基底，对所述基底进行表面清洗、干燥；/n将处理得到的基底放置于热丝化学气相沉积设备沉积室内；通入含有碳源气体、硅源气体的混合气体，保持所述基底与所述设备内部的灯丝的距离为16～18mm，在所述灯丝的功率为6800～7000W、所述灯丝的温度为600～800℃的条件下；制备所述SiC纳米线。/n
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