[发明专利]LED结构的制备方法及LED结构在审
| 申请号： | 201910900471.0 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110491979A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘召军;高凡;谢仕锋;林大野;莫炜静 | 申请（专利权）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/44;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED结构的制备方法及LED结构。一种LED结构的制备方法，包括：剥离LED芯片的衬底和缓冲层以暴露N型GaN；在所述N型GaN上形成ITO层。本发明通过在N型GaN上形成ITO层，当ITO层通以和负电极相同的电压，可以来改变电子空穴的复合路径，进而解决LED结构中心电场线较弱的问题，使LED结构中心的电子空穴对复合几率增大，达到提升发光效率，减小LED结构中心亮度和四周亮度差异，增强阴极导电性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 电子空穴 制备 导电性 阴极 发光效率 复合几率 复合路径 亮度差异 电场线 负电极 缓冲层 衬底 减小 剥离 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种LED结构的制备方法，其特征在于，包括：/n剥离LED芯片的衬底和缓冲层以暴露N型GaN；/n在所述N型GaN上形成ITO层。/n
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