[发明专利]一种交联型聚芳醚腈耐高温介电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910898254.2 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110628014B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 黄宇敏;开媛;林健;刘孝波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08G65/48 | 分类号： | C08G65/48;C08G65/40;C08J5/18;C08L71/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种交联型聚芳醚腈的合成方法及其耐高温介电薄膜的制备方法，属于特种高分子材料领域。此类聚芳醚腈主要分子结构设计出发，通过将侧链含氨基的对苯二酚作为反应单体之一，合成羟基封端的聚芳醚腈，然后在分子主链末端引入邻苯二甲腈合成可交联型聚芳醚腈。采用流延成膜和低温自交联策略可得到交联型聚芳醚腈薄膜。所得到的薄膜具有优异的热性能、力学性能和介电性能，可作为耐高温介电薄膜使用。本发明的制备方法简单且易于工业化操作，可扩宽聚芳醚腈的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交联 型聚芳醚腈 耐高温 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种交联型聚芳醚腈，其特征在于，所述聚芳醚腈含有氨基侧基，且以邻苯二甲腈封端，其结构式如下所示：/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910898254.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
