[发明专利]半导体制作方法有效
| 申请号： | 201910894948.9 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112542383B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 杨军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及图案化制作领域，公开了一种半导体制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成待刻蚀层，并在待刻蚀层上形成图形化的牺牲层；在待刻蚀层表面形成包覆牺牲层的目标介质层，目标介质层包括离子掺杂浓度不同的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部覆盖牺牲层正对的两个侧面，且预设刻蚀工艺对第一掺杂部的刻蚀速率小于对第二掺杂部的刻蚀速率；采用预设刻蚀工艺对目标介质层进行刻蚀，去除第二掺杂部，保留第一掺杂部；在预设刻蚀工艺后，去除牺牲层；以第一掺杂部为掩模，对待刻蚀层进行刻蚀。与现有技术相比，本发明实施方式所提供的半导体制作方法具有简化SADP工艺过程的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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