[发明专利]电容器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910894346.3 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110943164A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 郭文峰;赖佳平;曾仲铨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘潇;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请的实施例提供一种电容器，包括：沿着第一方向延伸且位于基板中的至少一主要沟槽，以及沿着不同于第一方向的第二方向延伸且位于基板中的至少一次要沟槽。电容还包括：分离基板与多个电容板中的第一电容板的第一介电材料，以及分离第一电容板与此些电容板中的第二电容板的第二介电材料，其中第一介电材料、第二介电材料、第一电容板与第二电容板至少部分位于基板中的至少一主要沟槽与至少一次要沟槽之中。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910894346.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构的形成方法
- 下一篇：提升存储器效率的电路与方法
