[发明专利]GCT芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910884494.7 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110690268A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 曾嵘;刘佳鹏;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/332;H01L29/74 |
| 代理公司： | 11594 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张陆军;张迎新 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于电力半导体器件领域，公开了一种GCT芯片结构及其制备方法，GCT芯片结构包括引出阳极的P+发射极、与所述P+发射极贴合的n+缓冲层、与所述n+缓冲层相贴合的P型漂移区以及n+发射极，在动态与静态过程中通过所述P型漂移区承受阳极、阴极间的电压差。本发明保证在大电流关断的过程中，削减动态雪崩效应的发生，以提供具备大电流关断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 发射极 阳极 芯片结构 大电流 缓冲层 关断 贴合 电力半导体器件 阴极 动态雪崩 静态过程 电压差 制备 削减 保证 | ||
【主权项】：
1.一种GCT芯片结构，其特征在于，包括引出阳极的P+发射极、与所述P+发射极贴合的n+缓冲层、与所述n+缓冲层相贴合的P型漂移区以及n+发射极，在动态关断过程与静态阻断过程中通过所述P型漂移区承受阳极、阴极间的电压差。/n
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