[发明专利]基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池在审

专利信息
申请号: 201910883679.6 申请日: 2019-09-18
公开(公告)号: CN110634968A 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 杨柳;何赛灵 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/074
代理公司: 33200 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 林松海
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池,从上至下依次包括减反射薄膜、超薄金属薄膜、空穴选择性接触、单晶硅、电子选择性接触、背电极;所述的超薄金属薄膜为连续薄膜,厚度小于10 nm。空穴选择性接触、电子选择性接触分别可为两层或者为一层。本发明引入超薄金属薄膜,避免了传统电池中栅线电极对太阳光的遮挡效应,增加了光生载流子的收集效率,同时增强了对长波段太阳光的限制作用,可大幅提高电池的短路电流;该金属薄膜还可提高电池稳定性,增加其柔韧性;整个电池结构简单,设计灵活,工艺简单,无需额外掺杂工艺,无需定义电极图形结构,工艺温度可控制在100℃以内,成本低廉。
搜索关键词: 选择性接触 超薄金属 薄膜 空穴 单晶硅 太阳光 掺杂 异质结太阳能电池 电池稳定性 光生载流子 减反射薄膜 柔韧性 传统电池 从上至下 电池结构 定义电极 短路电流 金属薄膜 连续薄膜 收集效率 图形结构 栅线电极 背电极 长波段 可控制 两层 栅线 遮挡 电池 引入 灵活
【主权项】:
1. 一种基于无栅线、无掺杂接触的单晶硅异质结太阳能电池,其特征在于,从上至下依次包括减反射薄膜(1)、超薄金属薄膜(2)、空穴选择性接触(3)、单晶硅(4)、电子选择性接触(5)、背电极(6);所述的超薄金属薄膜(2)为连续薄膜,厚度小于10 nm。/n
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