[发明专利]双磁穿隧接面与其形成方法有效
| 申请号： | 201910882982.4 | 申请日： | 2019-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110911551B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 维格纳许·桑达;王郁仁;路克·汤马斯;真杰诺;沙希·帕特尔;童儒颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开涉及一种双磁穿隧接面与其形成方法，其中第一穿隧阻障层(TB1)具有比上覆的第二穿隧阻障层(TB2)的电阻与表面积乘积RA |
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| 搜索关键词： | 双磁穿隧接面 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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