[发明专利]半导体装置及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201910875517.8 申请日: 2019-09-17
公开(公告)号: CN112530980A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 李新辉;曾汉良;林学荣;李金政 申请(专利权)人: 世界先进积体电路股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 孙乳笋;周永君
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置的形成方法包括提供具有切割道的基板、在基板中形成感测像素阵列、在基板上形成多个透光柱、以及在基板及透光柱之上形成遮光层。上述感测像素阵列包括多个感测像素,且上述透光柱对应设置于感测像素阵列的感测像素之上。此方法更包括进行第一切割工艺,以在切割道正上方形成开口,且留下覆盖切割道的剩余材料、以及进行刻蚀工艺以去除此剩余材料,以延伸上述开口直到露出切割道。本发明可以降低在晶圆切割工艺期间造成材料层间微裂或因为基板与其他结构接着性不佳而导致剥离的风险,以消除在后续的可靠度测试期间发生在晶粒角落或边缘的分层问题,进而进一步提升半导体装置的可靠度。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 形成 方法
【主权项】:
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