[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号: | 201910875517.8 | 申请日: | 2019-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN112530980A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
| 发明(设计)人: | 李新辉;曾汉良;林学荣;李金政 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙乳笋;周永君 |
| 地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置的形成方法包括提供具有切割道的基板、在基板中形成感测像素阵列、在基板上形成多个透光柱、以及在基板及透光柱之上形成遮光层。上述感测像素阵列包括多个感测像素,且上述透光柱对应设置于感测像素阵列的感测像素之上。此方法更包括进行第一切割工艺,以在切割道正上方形成开口,且留下覆盖切割道的剩余材料、以及进行刻蚀工艺以去除此剩余材料,以延伸上述开口直到露出切割道。本发明可以降低在晶圆切割工艺期间造成材料层间微裂或因为基板与其他结构接着性不佳而导致剥离的风险,以消除在后续的可靠度测试期间发生在晶粒角落或边缘的分层问题,进而进一步提升半导体装置的可靠度。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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