[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910874283.5 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112531026B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张志丽;赵景川;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取形成有漂移区的衬底，所述漂移区具有第一导电类型并形成于第二导电类型的所述衬底上；在所述漂移区刻蚀出下陷结构，所述下陷结构包括注入槽和/或注入孔；向所述下陷结构的底部注入第二导电类型离子；热处理使所述第二导电类型离子扩散形成第二导电类型埋层；向所述下陷结构内填充电性能调整材料，所述电性能调整材料与所述漂移区的材料不同。本发明的埋深度不受机台注入能量的限制，埋层上方可以留出足够深度的漂移区作为导电通道使得漂移区第一导电类型杂质的浓度提升，导通电阻得到降低。并且通过注入槽/孔中填充的电性能调整材料能够进一步优化器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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