[发明专利]一种树脂型三维扇出集成封装方法及结构在审
| 申请号： | 201910870943.2 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN110491792A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王成迁 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/52;H01L23/538;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 32340 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 杨立秋<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种树脂型三维扇出集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供旋涂有临时键合胶的载板，并在临时键合胶上设置母芯片和铜柱；然后进行第一次塑封，通过倒装焊工艺使第一组子芯片和母芯片电性互连，再次进行塑封；接着通过减薄工艺使母芯片露出背面硅基，在母芯片背面和树脂基体刻蚀出若干个凹槽并分别埋入第二组子芯片；用干膜材料填充所述第二组子芯片和凹槽的空隙，并制作n层再布线；制作阻焊层和锡球凸点，最后通过研磨、切割制作成单颗三维扇出型封装体。通过树脂基体的塑封方式，在树脂基体两面埋入子芯片，也在最初埋入的母芯片背面埋入子芯片，最大化利用了树脂基体，完成了最高密度的树脂型三维扇出集成封装。 | ||
| 搜索关键词： | 母芯片 子芯片 树脂基体 埋入 背面 三维 集成封装 临时键合 树脂 扇出 塑封 制作 集成电路封装 扇出型封装 最大化利用 材料填充 电性互连 塑封方式 研磨 倒装焊 再布线 阻焊层 干膜 硅基 减薄 刻蚀 铜柱 凸点 锡球 旋涂 载板 切割 | ||
【主权项】：
1.一种树脂型三维扇出集成封装方法，其特征在于，包括：/n提供旋涂有临时键合胶的载板，并在所述临时键合胶上设置母芯片和铜柱；/n进行第一次塑封，通过倒装焊工艺使第一组子芯片和所述母芯片电性互连，再次进行塑封；/n通过减薄工艺使所述母芯片露出背面硅基，在母芯片背面和树脂基体刻蚀出若干个凹槽并分别埋入第二组子芯片；/n用干膜材料填充所述第二组子芯片和凹槽的空隙，并制作n层再布线；/n制作阻焊层和锡球凸点，最后通过研磨、切割制作成单颗三维扇出型封装体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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