[发明专利]一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910864885.2 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN110571136B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 王红军;朱媛媛;程鹏伟;熊锐;刘雍 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人： | 刘华 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种使用一步化学气象沉积法合成无铅全无机钙钛矿薄膜的方法，所述方法步骤如下：将溴化铯和溴化锡粉末按照相同摩尔比分别放置在石英舟中，将装有粉末的石英舟放置在双温区管式加热炉的上游高温区；控制温度，在氩气气氛中将粉末升华为汽态，并通过高纯载气氩气在低温区的硅片衬底上沉积；完成沉积后在低温区进行加热，获得质量的无铅全无机钙钛矿薄膜。本发明制备的无铅全无机钙钛矿薄膜具有晶体质量高、无杂质相和较大尺寸，同时具有工艺简单，可重复性好，尤其适用于批量制备基于钙钛矿薄膜的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一步 化学 沉积 无铅全 无机 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种一步化学气相沉积无铅全无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在连通的设有高温区与低温区的反应器内，将溴化铯与溴化锡按摩尔比1：1置于高温区内，控制高温区温度为600~1000℃，并以惰性气体为载气先后流经高温区和低温区，在低温区得沉积薄膜；热处理低温区所得沉积薄膜，得无铅全无机钙钛矿薄膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
