[发明专利]一种MEMS红外探测器三维封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910863344.8 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110577186A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 赵继聪;诸政;葛明敏;高波;宋晨光;孙玲;孙海燕 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01J5/20;G01J5/22 |
| 代理公司： | 32324 江苏隆亿德律师事务所 | 代理人： | 倪金磊 |
| 地址： | 226019 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种MEMS红外探测器的三维封装技术，在硅片上设有两个垂直导电区玻璃回流槽和垂直引线，内嵌的硼硅酸盐玻璃作为引线和衬底的电绝缘层。在封装盖顶部设有亚波长结构阵列。本发明提供的三维封装结构，基于玻璃回流工艺制备的低阻硅垂直引线实现内外电学互连，硼硅酸盐玻璃与低阻硅之间有着相匹配的热膨胀系数，因而热应力较低。封装盖顶部的亚波长结构阵列用于在长波红外区域增强红外透射性能。在亚波长结构阵列的下方制备封装腔室以容纳红外探测器。此外本发明还提供了上述封装结构的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 亚波长结构 硼硅酸盐玻璃 红外探测器 玻璃回流 垂直引线 封装盖 低阻 长波 三维封装技术 三维封装结构 热膨胀系数 电绝缘层 封装结构 封装腔室 工艺制备 红外区域 透射性能 电学 导电区 热应力 硅片 互连 衬底 内嵌 制备 匹配 垂直 容纳 制作 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS红外探测器三维封装结构，其特征在于，包括硅衬底(1)，所述硅衬底(1)纵向贯穿设置有二垂直导电区，各所述垂直导电区均包括垂直硅引线(6)及位于所述垂直硅引线(6)外周的电学隔离层(8)，所述硅衬底(1)配置用以容纳MEMS红外探测器的封装腔室(5)，所述硅衬底(1)配置位于封装腔室(5)的透光面的亚波长结构阵列(4)，所述电学隔离层(8)材料选自硼硅酸盐玻璃，所述垂直硅引线(6)材料选自低阻硅，所述垂直硅引线(6)用于与所述封装腔室(5)内的MEMS红外探测器电学连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通大学，未经南通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910863344.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
