[发明专利]一种金属硬掩膜及其制作和使用方法在审
| 申请号： | 201910862501.3 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110620037A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 刘庆鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属硬掩膜及其制作和使用方法，将氮化钛和氮化钽按质量比为1:2至1:3混合；利用反应磁控溅射方法将混合后的所述氮化钛和氮化钽进行调制；调制成膜厚为100埃至200埃的金属硬掩膜。本发明通过调制制作含有氮化钛和氮化钽的金属硬掩膜，使用其作为新的刻蚀硬掩膜材料，代替传统氮化钛薄膜，可以降低刻蚀时使用的掩膜层厚度，提高金属硬掩膜的硬度和均匀度，在相同光阻厚度条件下变相增加刻蚀空间，增加工艺窗口宽度，提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩膜 氮化钛 氮化钽 金属 刻蚀 调制 反应磁控溅射 氮化钛薄膜 硬掩膜材料 工艺窗口 厚度条件 刻蚀空间 均匀度 掩膜层 质量比 光阻 良率 膜厚 制作 | ||
【主权项】：
1.一种金属硬掩膜的制作方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、将氮化钛和氮化钽按质量比为1:2至1:3混合；/n步骤二、利用反应磁控溅射方法将混合后的所述氮化钛和氮化钽进行调制；/n步骤三、调制成膜厚为100埃至200埃的金属硬掩膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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