[发明专利]多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质有效
| 申请号： | 201910861852.2 | 申请日： | 2019-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110690134B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 周烽;万先进;左明光;宋锐;李远;熊少游;李远博 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;G01N27/04 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，串气检测方法包括如下步骤：提供一多站式沉积设备，通过多站式沉积设备对一枚或多枚晶圆进行多站式沉积工艺，多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚晶圆进行多站式沉积工艺的站位；对晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；对多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行流量检测；根据薄膜均匀性检测和供气流量检测的结果判断多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。本发明通过引入一种新的多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，通过进行薄膜均匀性检测及供气流量检测，及时发现多站式沉积工艺过程中出现的串气，从而确保了薄膜沉积质量以及产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 多站式 沉积 工艺 串气 检测 方法 设备 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种多站式沉积工艺的串气检测方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供一多站式沉积设备，通过所述多站式沉积设备对一枚或多枚晶圆进行所述多站式沉积工艺，所述多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚所述晶圆进行多站式沉积工艺的站位；/n对完成所述多站式沉积工艺的所述晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；/n对所述多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行供气流量检测；/n根据所述薄膜均匀性检测和所述供气流量检测的结果判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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