[发明专利]一种中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤及其制备方法和应用有效
申请号: | 201910858477.6 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110468452B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 张会丽;孙敦陆;罗建乔;方忠庆;赵绪尧;权聪;胡伦珍;韩志远;程毛杰;殷绍唐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B15/16;C30B33/02;H01S3/067 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 马小星 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明涉及激光材料技术领域,具体涉及一种中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤及其制备方法和应用。本发明提供的中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤中,通过Ho |
||
搜索关键词: | 一种 红外 铥钬共掺倍半 氧化物 激光 光纤 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤,其特征在于,化学组成为(TmxHoyRez)2O3,其中,x=0.001~20at%,y=0.001~50at%,z=1-x-y;Re3+为不同于Tm3+和Ho3+的稀土离子。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院,未经中国科学院合肥物质科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910858477.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。