[发明专利]叠层互补金属氧化物半导体图像传感器及图像处理方法在审
| 申请号： | 201910855113.2 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110536084A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨鑫 | 申请（专利权）人： | OPPO广东移动通信有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369;H04N5/374;H04N5/378 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 崔晓岚;张颖玲<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 523860 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种叠层互补金属氧化物半导体图像传感器及图像处理方法，该叠层互补金属氧化物半导体图像传感器包括：交替排布的两种叠层像素单元，两种叠层像素单元包括三种尺寸的光电二极管PD柱，其中，两种叠层像素单元中的每一种叠层像素单元分别排布两层PD柱，两层光电二极管PD柱包括两种尺寸的PD柱、且两层PD柱中每一层PD柱尺寸相同，两种叠层像素单元利用三种尺寸的PD柱分别吸收RGB三色光，并将RGB三色光对应的光信号转换成RGB三色光对应的电信号；与两种叠层像素单元的输出端连接的CMOS像素读出电路，每一层PD柱与一个CMOS像素读出电路连接，CMOS像素读出电路用于放大电信号，并读出电信号。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层 像素单元 读出电路 三色光 互补金属氧化物半导体图像传感器 两层 光电二极管 放大电信号 光信号转换 输出端连接 交替排布 图像处理 排布 读出 吸收 申请 | ||
【主权项】：
1.一种叠层互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述叠层互补金属氧化物半导体图像传感器包括：/n交替排布的两种叠层像素单元，所述两种叠层像素单元包括三种尺寸的光电二极管PD柱，其中，所述两种叠层像素单元中的每一种叠层像素单元分别排布两层PD柱，所述两层光电二极管PD柱包括两种尺寸的PD柱、且所述两层PD柱中每一层PD柱尺寸相同，所述两种叠层像素单元利用所述三种尺寸的PD柱分别吸收RGB三色光，并将所述RGB三色光对应的光信号转换成RGB三色光对应的电信号；/n与所述两种叠层像素单元的输出端连接的CMOS像素读出电路，所述每一层PD柱与一个CMOS像素读出电路连接，所述CMOS像素读出电路用于放大所述电信号，并读出所述电信号。/n
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