[发明专利]自适应栅极驱动器在审

专利信息
申请号: 201910849879.X 申请日: 2019-09-10
公开(公告)号: CN110958003A 公开(公告)日: 2020-04-03
发明(设计)人: 刘志伟;M·达根;黄旭东 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H03K17/0814 分类号: H03K17/0814;H03K17/687
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明题为“自适应栅极驱动器”。本发明公开了一种用于驱动功率MOSFET以进行切换的自适应栅极驱动器。该自适应栅极驱动器包括负载感测电路以感测通过功率MOSFET的电流。耦接到该负载感测电路的控制器将所感测的电流与阈值进行比较以确定该功率MOSFET上的负载是正常负载还是重负载。基于该比较,控制器控制该栅极驱动器以在确定正常负载时以第一强度水平驱动功率MOSFET,并且在确定重负载时以第二强度水平驱动功率MOSFET。处于重负载状况下的驱动强度低于正常负载状况,并且通过在重负载状况期间降低栅极驱动器的驱动强度,可以防止功率MOSFET上的电压在切换周期期间超过与击穿状况相关的阈值。
搜索关键词: 自适应 栅极 驱动器
【主权项】:
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