[发明专利]一种基于石墨烯和三层超表面的耦合器结构及制备方法有效
| 申请号： | 201910849856.9 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110646868B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘敏;胡晓;陈代高;肖希 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00;G02B6/12 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 李斯 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于石墨烯和三层超表面的耦合器结构，涉及光子集成器件领域，包括：互不接触的至少一个第一层超表面、至少一个第二层超表面以及一第三层超表面，第三层超表面位于最下方；绝缘体结构层；分别设置在绝缘体结构层上、下表面的石墨烯结构层和衬底；第一、二层超表面的折射率大于第一绝缘层，第三层超表面的折射率大于第一子结构的折射率。本发明设计了三层超表面层和石墨烯结构层，通过三层超表面层调整光束传播路径和各层有效折射率，第一子结构与第三层超表面的折射率对比度减小，有效增大耦合器的工作带宽；石墨烯结构层能够进一步增大耦合器的工作带宽，三层超表面矩阵单元阵列排列结构能有效增大耦合器的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 三层 表面 耦合器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于石墨烯和三层超表面耦合器结构，其特征在于，包括：/n互不接触的至少一个第一层超表面、至少一个第二层超表面以及一第三层超表面，所述第三层超表面位于所述第一层超表面和所述第二层超表面的下方，所述第一层超表面、所述第二层超表面以及所述第三层超表面均采用由多个基本单元构成的矩形阵列结构；/n绝缘体结构层，由包裹所述第一层超表面和所述第二层超表面的第一绝缘层和包裹所述第三层超表面的第二绝缘层构成，所述第一层超表面、所述第二层超表面以及所述第一绝缘层构成第一子结构，所述第三层超表面和所述第二绝缘层构成第二子结构；/n分别设置在所述绝缘体结构层上表面和下表面的石墨烯结构层和衬底；/n所述第一、二层超表面的折射率大于所述第一绝缘层，所述第三层超表面的折射率大于所述第一子结构的折射率。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，未经武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910849856.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种城市排水监测预警方法和系统
- 下一篇：具有装饰效果的光学膜及其复层结构
