[发明专利]阵列基板及显示面板有效
| 申请号： | 201910843718.X | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110690228B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周帅 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G09F9/30 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括基板、形成于基板上的第一栅极层；依次形成于第一栅极层之上的第一绝缘层、有源层、源漏极层和第二绝缘层；以及，形成在第二绝缘层上上的第二栅极层；第一栅极层包括多个第一栅极，第二栅极层包括多个第二栅极；其中，第一栅极层还包括连接多个第一栅极的第一栅极线，至少两个第二栅极连接至同一个第一栅极；或者，第二栅极层还包括连接多个第二栅极的第二栅极线，至少两个第一栅极连接至同一个第二栅极。本发明实施例改进了阵列基板的结构，在提高阵列基板的薄膜晶体管的载流子迁移率的同时，提高子像素的存储电容，降低栅极线电容，进而提高显示装置的显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n第一栅极层，形成于所述基板上，所述第一栅极层包括多个第一栅极；/n依次形成于所述第一栅极层之上的第一绝缘层，有源层，源漏极层和第二绝缘层；/n第二栅极层，形成在所述第二绝缘层上，所述第二栅极层包括多个第二栅极；/n所述第一栅极层还包括连接多个第一栅极的第一栅极线，至少两个第二栅极连接至同一个第一栅极；或者，所述第二栅极层还包括连接多个第二栅极的第二栅极线，至少两个第一栅极连接至同一个第二栅极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
