[发明专利]一种ZnO:Li阻变存储器及其集成化制作工艺方法有效
| 申请号： | 201910839059.2 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN111653665B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锋;李易;温殿忠 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙) 11426 | 代理人： | 张玉玲;范国锋 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器及其集成化制作工艺方法，所述存储器包括衬底(1)和设置在其上的单个或多个阻变单元，其中，所述阻变单元包括依次设置的底电极(2)、阻变层(3)和顶电极(4)，所述阻变层(3)为Li掺杂ZnO薄膜(ZnO:Li)，显著提升阻变存储器的性能，使其具有长的保持时间和优异的耐久性。所述集成化制作工艺方法通过射频磁控溅射法和剥离工艺相结合，实现芯片集成化工艺制作，操作简单，且能够实现阻变存储器的大面积、高一致性和集成化制造，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno li 存储器 及其 集成化 制作 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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