[发明专利]一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管有效
| 申请号： | 201910831941.2 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110534663B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 周雷;朱雨富;周广宏;林毅 | 申请（专利权）人： | 淮阴工学院 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张华蒙 |
| 地址： | 223005 江苏省淮安市洪泽区东七街三号高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管，属于有机光电显示器件技术领域，其包括由上至下依次设置的变取向像素层、基底、第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极，在基底上表面设置变取向像素化纳米金属光栅单元，组成变取向像素化层，纳米金属光栅周期为100～220nm，占空比为0.3～0.6，槽深为60～120nm；在第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极上均设置相同取向的一维纳米光栅结构，相同取向的一维纳米光栅结构为周期性阵列光栅，光栅的周期为150～250nm，占空比为0.4～0.6，槽深为30～50nm。本发明能实现有机发光二极管的变取向像素化线偏振出光，可用于主动式偏振信息编码、目标反隐及偏振成像等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 像素 偏振 有机 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：包括由上至下依次设置的变取向像素层(1)、基底(2)、第一传输层(3)、有机发光层(4)、第二传输层(5)和复合背电极(6)，在基底(2)上表面设置变取向像素化纳米金属光栅单元，组成变取向像素化层(1)；在所述的第一传输层(3)、有机发光层(4)、第二传输层(5)和复合背电极(6)上均分别设置相同取向一维纳米光栅结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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