[发明专利]一种氮化镓高电子迁移率晶体管的经验性电容模型在高漏源电压条件下的简化方法及其应用在审
| 申请号： | 201910829702.3 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111144059A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 罗浩瑞;郭健;姚鸿 | 申请（专利权）人： | 苏州芯智瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/36 | 分类号： | G06F30/36 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 田方正 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区独*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种适用于氮化镓高电子迁移率晶体管的经验性电容模型在高漏源电压下的简化方法，该方法包括：基于一系列物理分析，将栅源电容 |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子 迁移率 晶体管 经验性 电容 模型 高漏源 电压 条件下 简化 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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