[发明专利]一种高耐压的高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201910826836.X | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447837A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰 | 申请（专利权）人： | 广东致能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 武成国 |
| 地址： | 510700 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体功率器件，具体而言，涉及一种高耐压高电子迁移率晶体管。高耐压高电子迁移率晶体管，其包含栅电极、源电极、漏电极、势垒层、沟道层、形核层、基底；沟道层位于势垒层和基底之间，沟道层包括P‑型Ⅲ‑Ⅴ族半导体层，其中形核层与漏电极在基底上的投影至少部分区域重合，漏电极与沟道层的二维电子气电接触，源电极与P‑型Ⅲ‑Ⅴ族半导体层电接触，栅电极位于势垒层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东致能科技有限公司，未经广东致能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910826836.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：视频编码器、视频解码器以及视频系统
- 下一篇：制冰蒸发器检测方法
- 同类专利
- 专利分类
