[发明专利]SiC单晶制造装置在审
| 申请号： | 201910822530.7 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110878428A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 石田虎太郎 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C23C14/24;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶制造装置，具备晶体生长用容器、隔热材料、加热器和温度测定器，所述晶体生长用容器具有收纳SiC原料的原料收纳部和设置有支持籽晶的籽晶支持部的盖部，所述隔热材料覆盖所述晶体生长用容器、且具有贯穿孔，所述加热器对所述晶体生长用容器进行加热，所述温度测定器经由所述贯穿孔测定所述晶体生长用容器的温度，所述隔热材料的所述贯穿孔的内壁面利用包含耐热性金属碳化物或耐热性金属氮化物的被覆材料进行被覆。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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