[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910821904.3 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN111081643A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 唐沢达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L23/49;H01L23/492;H01L25/07;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够将键合线可靠地接合于电极焊盘的半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置具有电路基板(5)和壳体(7)，电路基板具有电极焊盘和在正面形成有电极焊盘的绝缘层(4)，壳体具备配置电路基板的配置区域(7a)而收纳电路基板。而且，在绝缘层的背面的与电极焊盘的正下方对应的第一区域(4b)形成有埋设接合材料(6)的凹部(4c)。因此，电极焊盘在正下方经由绝缘层和接合材料(6)可靠地与壳体接合。这样的半导体装置(1a)中，如果在电极焊盘的键合区域(2b)上配置键合线(8)并使用键合工具(9)通过超声波接合进行接合，则能抑制电极焊盘相对于由键合工具(9)引起的超声波振动的振动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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