[发明专利]一种硅基碲镉汞芯片制备方法和碲镉汞红外探测器有效
| 申请号： | 201910821669.X | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110634991B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 祁娇娇;张敏;韦书领;周立庆;王成刚;孙浩;宁提 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/101;H01L21/66 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张然 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硅基碲镉汞红外探测器芯片制备方法，用以改善大面阵芯片的表面翘曲，提高互连成品率。硅基碲镉汞芯片制备方法，包括：针对完成了在碲镉汞膜层表面制备光敏区及金属化操作之后的材料，进行面型测试确定待制备芯片弯曲的第一曲率半径；根据确定出的第一曲率半径，确定待制备的目标膜层的第一应力；根据待制备的目标膜层的第一应力，确定制备所述目标膜层的第一工艺参数和/或第一厚度；根据确定出的第一工艺参数和第一厚度，在所述材料上生长所述目标膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基碲镉汞 芯片 制备 方法 碲镉汞 红外探测器 | ||
【主权项】：
1.一种硅基碲镉汞芯片制备方法，其特征在于，包括：/n针对完成了在碲镉汞膜层表面制备光敏区及金属化操作之后的材料，进行面型测试确定待制备芯片弯曲的第一曲率半径；/n根据确定出的第一曲率半径，确定待制备的目标膜层的第一应力；/n根据待制备的目标膜层的第一应力，确定制备所述目标膜层的第一工艺参数和/或第一厚度；/n根据确定出的第一工艺参数和/或第一厚度，在所述材料上生长所述目标膜层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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