[发明专利]分离栅VDMOS器件的终端结构有效
| 申请号： | 201910819894.X | 申请日： | 2019-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN110504322B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 章文通;何俊卿;王睿;杨昆;乔明;王卓;张波;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L27/02 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分离栅VDMOS器件的终端结构，包括有源区结构和终端区结构，本发明通过将分离栅深槽与第一道终端深槽相连，二者共用接触孔进行引出，减少了设计器件版图结构时所要考虑的参数，简化器件的版图结构设计，同时将三维耗尽转化为二维耗尽，并对分离栅深槽和第一道终端深槽连接处的结构进行特殊设计，进一步缓解曲率效应，优化电荷平衡，提高终端结构的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 vdmos 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
1.一种分离栅VDMOS器件的终端结构，其特征在于：包括有源区结构和终端区结构：/n所述有源区结构包括：第一导电类型衬底(152)，第一导电类型漂移区(111)，第一导电类型源极接触区(151)，第二导电类型阱区(122)，第二导电类型源端接触区(121)，源极金属接触(130)，第一介质氧化层(141)、第二介质氧化层(142)、第三介质氧化层(143)，控制栅多晶硅电极(131)、分离栅多晶硅电极(132)；第一导电类型漂移区(111)位于第一导电类型衬底(152)上方，第二导电类型阱区(122)位于第一导电类型漂移区(111)上方，第一导电类型源极接触区(151)位于第二导电类型阱区(122)上方，源极金属接触(30)将第二导电类型源端接触区区(121)和第一导电类型源极接触区(151)短接；由第一介质氧化层(141)、第二介质氧化层(142)、第三介质氧化层(143)和控制栅多晶硅电极(131)、分离栅多晶硅电极(132)组成的槽型结构位于第一导电类型衬底(152)和第一导电类型漂移区(111)的两侧，其中第一介质氧化层(141)、第二介质氧化层(142)包围着控制栅多晶硅电极(131)，第二介质氧化层(142)、第三介质氧化层(143)包围着分离栅多晶硅电极(132)，第三介质氧化层(143)位于控制栅多晶硅电极(131)和分离栅多晶硅电极(132)的中间，第三介质氧化层(143)和分离栅多晶硅电极(132)构成有源区末端的分离栅深槽；/n所述终端区结构包括第四介质氧化层(144)、第五介质氧化层(145)、第一终端多晶硅电极(133)、第二终端多晶硅电极(134)；其中第四介质氧化层(144)和第一终端多晶硅电极(133)构成第一道终端深槽，第五介质氧化层(145)和第二终端多晶硅电极(134)构成第二道终端深槽；/n分离栅深槽和第一道终端深槽连通，其中分离栅多晶硅电极(132)和第一终端多晶硅电极(133)连通，第三介质氧化层(143)和第四介质氧化层(144)连通，二者共用接触孔与外部电路相连。/n
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