[发明专利]光电催化的负载金属的硼掺杂金刚石及制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910817545.4 | 申请日： | 2019-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN110496616B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 杨扬;唐永炳;胡渊;徐梦琦;张文军 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | B01J23/52 | 分类号： | B01J23/52;B01J35/10;C25B1/00;C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光电催化的负载金属的硼掺杂金刚石，所述负载金属的硼掺杂金刚石包括基底，设置在所述基底任意一侧的硼掺杂金刚石层，所述硼掺杂金刚石层包括平整底层和垂直于所述平整底层的锥形结构层，以及均匀负载在所述锥形结构层的尖端的金属纳米颗粒催化剂。所述光电催化的负载金属的硼掺杂金刚石具有较高的催化活性、稳定性以及化学过程的选择性，大幅提高催化过程的选择性和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 催化 负载 金属 掺杂 金刚石 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种光电催化的负载金属的硼掺杂金刚石，其特征在于，所述负载金属的硼掺杂金刚石包括基底，设置在所述基底任意一侧的硼掺杂金刚石层，所述硼掺杂金刚石层包括平整底层和垂直于所述平整底层的锥形结构层，以及均匀负载在所述锥形结构层的尖端的金属纳米颗粒催化剂。/n
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